Apple sudahpun mendapatkan cip dengan proses pembuatan 3nm untuk perantinya yang akan datang

Dunia teknologi sedang bergerak ke hadapan dengan pesat. Segala-galanya bertambah baik tahun demi tahun, atau dari semasa ke semasa kita dapat melihat beberapa perkara baru yang menolak sempadan khayalan kemungkinan sedikit lebih jauh. Apple juga mempunyai kedudukan yang kukuh dalam hal ini, berkaitan dengan cip. Menurut laporan terbaharu portal DigiTimes, syarikat gergasi Cupertino sepatutnya menyedari fakta ini, kerana ia sudah berunding dengan pembekal eksklusifnya TSMC untuk menyediakan pengeluaran besar-besaran cip dengan proses pembuatan 3nm.

Kini malah MacBook Air biasa boleh mengendalikan permainan dengan mudah (lihat ujian kami):

Fotogalerie

M1 MacBook Air Counter-Strike Global Offensive-min

MacBook Air M1 Tomb Raider fb

Tomb Raider (2013) pada MacBook Air dengan M1

M1 MacBook Air World of Warcraft

M1 MacBook Air Tomb Raider

Tomb Raider (2013) pada MacBook Air dengan M1

16_mbp-air_m1_fb

m1_macbooks_fb

Pengeluaran besar-besaran cip ini sepatutnya bermula pada separuh kedua 2022. Walaupun satu tahun mungkin kelihatan seperti masa yang lama, dalam dunia teknologi ia adalah seketika. Dalam beberapa bulan akan datang, TSMC harus memulakan pengeluaran cip dengan proses pembuatan 4nm. Pada masa ini, hampir semua peranti Apple dibina pada proses pembuatan 5nm. Ini adalah barang baharu seperti iPhone 12 atau iPad Air (kedua-duanya dilengkapi dengan cip A14) dan cip M1. iPhone 13 tahun ini sepatutnya menawarkan cip yang akan berdasarkan proses pengeluaran 5nm, tetapi bertambah baik dengan ketara berbanding standard. Cip dengan proses pembuatan 4nm akan menuju ke Mac masa hadapan.

Apple M1: Cip pertama daripada keluarga Apple Silicon

Mengikut data yang ada, ketibaan cip dengan proses pengeluaran 3nm sepatutnya membawa 15% prestasi yang lebih baik dan 30% penggunaan tenaga yang lebih baik. Secara umum, boleh dikatakan bahawa semakin kecil proses, semakin tinggi prestasi cip dan semakin kurang intensif tenaganya. Ini adalah kemajuan yang besar, terutamanya memandangkan pada tahun 1989 ia adalah 1000 nm dan pada tahun 2010 ia hanya 32 nm.